IPD05N03LB G
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPD05N03LB G |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 |
| Πακέτο | PG-TO252-3-11 |
| Σε απόθεμα | 6918 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMultiple Devices 04/Jun/2009IPD,IPS05N03LB G |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 6918 κομμάτια του Infineon Technologies IPD05N03LB G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 40µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO252-3-11 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 60A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 94W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 15 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 25 nC @ 5 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 30 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPD05N |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPD06N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD050N10NF2SATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPD05N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD068P03L3GBTMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3Infineon Technologies -
IPD053N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO252-3Infineon Technologies -
IPD053N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD052N10NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies -
IPD068N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD053N06N3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD060N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD055N08NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies -
IPD060N03LG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD050N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3Infineon Technologies -
IPD068N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD053N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3Infineon Technologies -
IPD06N03LAG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD053N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD068P03L3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3Infineon Technologies -
IPD060N03LGINCT
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD060N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies